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J-GLOBAL ID：200903014155216375

固体撮像装置およびその製造方法

Inventor： 猪熊 英幹 ,  野町 映子 ,  眞壁 晃 ,  安部 征吾 ,  塩山 善之 ,  成瀬 宏 ,  柴田 英紀 ,  中村 信男 ,  山口 鉄也 ,  山下 浩史 ,  井原 久典 ,  井上 郁子 ,  野崎 秀俊
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998258713
Publication number (International publication number)：2000091551
Application date： Sep. 11, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、フォトダイオードと読み出しゲートとを有するCMOSイメージセンサにおいて、表面再結合を抑制するためのサーフェスシールド層を読み出しゲートに隣接させて設けた場合の、読み出し電圧の高電圧化を回避できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、フォトダイオード層17の一部を、読み出しゲート15の下部にまで延在させて形成する。その際、フォトダイオード層17は、読み出しゲート15の下部に延在する部分の長さが、読み出しゲート15がオフ状態のときに、フォトダイオード層17とドレイン領域19との間でパンチスルーが生じない程度の長さとなるようにする。こうして、フォトダイオード層17内の電荷を、経路Aに沿って、読み出しゲート15により直に汲み上げることが可能な構成となっている。

Claim (excerpt)：

光信号を受光して光電変換および電荷を蓄積するフォトダイオード領域と、そのフォトダイオード領域内の電荷を読み出すための読み出しゲート電極と、この読み出しゲート電極により読み出された電荷が転送されるドレイン領域と、前記読み出しゲート電極に隣接して、前記フォトダイオード領域の上部に設けられた、前記フォトダイオード領域での表面再結合を抑制するためのシールド層とを具備し、前記フォトダイオード領域を、前記読み出しゲート電極の下部にまで延在させ、前記フォトダイオード領域内の電荷を、前記読み出しゲート電極により直に汲み上げるように構成したことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/148 ,  H01L 31/02

FI (3)：

H01L 27/14 A ,  H01L 27/14 B ,  H01L 31/02 A

F-Term (12)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA19 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118FA33 ,  5F088AA02 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088GA03