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J-GLOBAL ID：200903014155647155

半導体レーザ素子

Inventor： 山下 茂雄 ,  黒田 崇郎 ,  岡 聡彦 ,  小野 佑一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991245639
Publication number (International publication number)：1993090695
Application date： Sep. 25, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】波長1μm帯で発振する埋込み型であって、高信頼性を有し低しきい値の半導体レーザ素子を得ることを目的とする。【構成】第1半導体クラッド層4と第2半導体クラッド層6とに挾まれた活性層5を有する半導体レーザ素子において、上記クラッド層の少なくとも一部をInxGa1-xAsyP1-yで構成し、上記活性層5をInuGa1-uAs量子井戸層およびInvGa1-vAs量子障壁層で構成した量子井戸構造とする。

Claim (excerpt)：

第1の導電型の第1半導体クラッド層と、第2の導電型の第2半導体クラッド層、およびそれら第1、第2のクラッド層に挾まれた活性層を有する半導体レーザ素子において、上記半導体クラッド層の少なくとも一部が、InxGa1-xAsyP1-yにより構成されており、かつ上記活性層がInuGa1-uAs量子井戸層およびInvGa1-vAs量子障壁層より構成される、量子井戸構造を有することを特徴とする半導体レーザ素子。