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J-GLOBAL ID：200903014155805761

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 松川 健一 ,  林 伸彦
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992334999
Publication number (International publication number)：1994164062
Application date： Nov. 20, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 平坦な活性層の発光領域を備え、活性層の下層側に電流狭窄機能を有する電流ブロック層を備える半導体レーザ及びその製造方法を提供すること、【構成】 p型GaAsの基板1中央にp-Al0.38Ga0.62Asの第1p-クラッド層が形成されており、この第1p-クラッド層2を埋め込む様態にて、基板1上にn-GaAsのブロック層3が積層されている。前記第1p-クラッド層2及びブロック層3の上に第2p-クラッド層4が積層されており、前記第1p-クラッド層2及びブロック層3の表面は、第1p-クラッド層2及びその近傍で面一となっている。第2p-クラッド層4上には、Al0.12Ga0.88Asの活性層5,n-Al0.38Ga0.62Asのn-クラッド層6及びn-GaAsのキャップ層7が積層されている。そして、ブロック層3に対応するキャップ層7及びn-クラッド層6の上部の領域に、プロトンが注入されて注入部7aが形成されている。

Claim (excerpt)：

基板上にクラッド層及び電流狭窄機能を有する電流ブロック層を備え、その上方に活性層を備え、該活性層の一部が発光部となる半導体レーザにおいて、リッジ型のクラッド層と該クラッド層を埋め込む前記電流ブロック層とを、前記クラッド層表面及びその近傍の前記電流ブロック層表面を面一にして備え、その面一な表面の上方に平坦な前記発光部を備えることを特徴とする半導体レーザ。