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J-GLOBAL ID：200903014158483730

磁気抵抗効果型再生ヘツド

Inventor： 竹村 祥子 ,  越川 誉生 ,  高木 均
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 林 恒徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991156599
Publication number (International publication number)：1993002720
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は磁気ディスク装置等に用いられる磁気抵抗効果型再生ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子を2つの磁性シールド体の中心位置に配置しても該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界が確実に印加されるようにして、孤立再生波形のピークシフトの発生を防止することを目的とする。【構成】 2つの磁性シールド体11, 15間に、磁気抵抗効果素子13とそれの両側を絶縁する非磁性絶縁層31a, 31bとを配置したヘッド構成において、前記磁気抵抗効果素子13は2つの磁性シールド体11, 15間の中心位置に配置され、かつ2つの磁性シールド体11, 15の内の何れか一方の磁性シールド体11の磁気抵抗効果素子13と対向する面に、その面上で記録媒体との対向面より所定寸法だけ離間してその磁性シールド体11の幅方向にバイアス磁界を印加する反強磁性膜32を設けた構成とする。

Claim (excerpt)：

2つの磁性シールド体(11, 15)間に、磁気抵抗効果素子(13)とそれの両側を絶縁する非磁性絶縁層(31a, 31b)とを配置したヘッド構成において、前記磁気抵抗効果素子(13)は2つの磁性シールド体(11, 15)間の中心位置に配置され、かつ2つの磁性シールド体(11, 15)の内の何れか一方の磁性シールド体(11)の磁気抵抗効果素子(13)と対向する面に、その磁性シールド体(11)の幅方向にバイアス磁界を印加する手段を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。