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J-GLOBAL ID：200903014166093852

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 板屋 義夫 ,  松本 信一
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 古谷 史旺
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993282411
Publication number (International publication number)：1995135369
Application date： Nov. 11, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光通信の光源となる半導体レーザおよびその製造方法に関し、両電極を同一面上に形成でき、かつ素子の浮遊容量を低減して高速動作に対応できることを目的とする。【構成】 半絶縁性半導体基板10の上に島状に形成された第1導電形バッファ層11と、第1導電形バッファ層11の上に形成された活性層12、第2導電形クラッド層13、第2導電形電極層14からなる積層体のメサストライプと、第1導電形バッファ層11の一部を除いてメサストライプの上面まで埋め込まれた高抵抗半導体埋め込み層15と、メサストライプの上面に接続された第1の電極18,20と、高抵抗半導体埋め込み層15にできた溝16に露出している第1導電形バッファ層11から高抵抗半導体埋め込み層15の上面まで引き出された第2の電極17,19 とを備えた構成である。

Claim (excerpt)：

半絶縁性半導体基板の上に、島状に形成された第1導電形バッファ層と、前記第1導電形バッファ層の上に形成された活性層、第2導電形クラッド層、第2導電形電極層からなる積層体のメサストライプと、前記第1導電形バッファ層の一部を除いて、前記メサストライプの上面まで埋め込まれた高抵抗半導体埋め込み層と、前記メサストライプの上面に接続された第1の電極と、前記高抵抗半導体埋め込み層にできた溝に露出している前記第1導電形バッファ層から前記高抵抗半導体埋め込み層の上面まで引き出された第2の電極とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。