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J-GLOBAL ID：200903014183759317

磁気抵抗効果素子とその製造方法及び磁気抵抗検出システム

Inventor： 山本 英文
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Agent (1)： 工藤 一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997265629
Publication number (International publication number)：1999112053
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 抵抗変化率が大きく、外部磁場感度が良く、耐熱性に優れた磁気センサや磁気ヘッド及び磁気検出システムを実現する。【解決手段】 強磁性磁気抵抗効果素子および巨大磁気抵抗効果素子において、Si単結晶基板上のエピタキシャル成長したAg/Pd バッファ層上にエピタキシャル成長させた面心立方晶(fcc) 構造の異方性磁気抵抗効果膜、又は巨大磁気抵抗効果膜を使用したことを特徴とする磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板上に形成した面心立方晶(fcc) 構造で単結晶の異方性磁気抵抗効果膜、またはシリコン単結晶基板上に形成した面心立方晶(fcc) 構造で単結晶の巨大磁気抵抗効果膜を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/28

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/28