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J-GLOBAL ID:200903014184769561

表面処理方法及び表面処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995055419
Publication number (International publication number):1996250479
Application date: Mar. 15, 1995
Publication date: Sep. 27, 1996
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、高選択なドライエッチングを行なう方法および装置を提供することを目的としている。【構成】 ドライエッチングにおいて、エッチング処理過程が、主として反応種が表面に吸着する素過程を含む第1の期間A、次いで吸着反応種と材料の反応を促進するべく加速された粒子が表面に照射される素過程を含む第2の期間B、次いで反応生成物が表面から脱離し排気される素過程を含む第3の期間Cとからなり、かつこのA、B、Cの期間からなる処理過程を1[msec]以上1[sec]以下の周期で周期的に行なう。【効果】 本発明によりエッチングの収率が高まり、マスク材料と下地材料とのエッチングの選択比を向上させる効果がある。
Claim (excerpt):
処理室内の試料台にウェハを載置し、前記処理室を排気手段によって所望の真空度に排気し、前記処理室にガス導入手段によって材料処理ガスを導入し、プラズマ放電手段によって前記導入されたガスをプラズマ化し、該プラズマによりウェハ上に形成された材料を処理する表面処理方法において、処理過程が、主として反応種が表面に吸着する素過程を含む第1の期間A、次いで吸着反応種と材料の反応を促進するべく加速された粒子が表面に照射される素過程を含む第2の期間B、次いで反応生成物が表面から脱離し排気される素過程を含む第3の期間Cとからなり、かつこのA、B、Cの期間からなる処理過程を1[msec]以上1[sec]以下の周期で周期的に行なうことを特徴とする表面処理方法。
IPC (2):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (3):
H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 B

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