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J-GLOBAL ID：200903014186212424

強誘電体結晶膜の製造方法

Inventor： 二井 裕之 ,  長尾 圭吾 ,  橋本 和生 ,  木村 隆幸
Applicant, Patent owner： 宇部興産株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994271265
Publication number (International publication number)：1996133733
Application date： Nov. 04, 1994
Publication date： May. 28, 1996
Summary：

【要約】【目的】 絶縁抵抗が高く、誘電損失が小さい強誘電体結晶膜を提供するものである。【構成】 水熱合成法により基板上に強誘電体結晶膜を形成後、100〜500°Cで熱処理を行う強誘電体結晶膜の製造方法に関する。

Claim (excerpt)：

水熱合成法により基板上に強誘電体結晶膜を形成後、100〜500°Cで熱処理を行うことを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。

IPC (2)：

C01G 25/00 ,  H01B 3/12 301