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J-GLOBAL ID：200903014189545203

磁性メモリ

Inventor： 中谷 亮一 ,  二本 正昭
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998027019
Publication number (International publication number)：1999232711
Application date： Feb. 09, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】 反強磁性層、磁性層、非磁性層、磁性層の順に積層された多層膜を磁性メモリとして利用する。【解決手段】 反強磁性層15、磁性層14、非磁性層13、磁性層12の順に積層された多層膜よりなるメモリセル10をレーザ光20で加熱し、メモリセル10を冷却する時に磁界Hを印加することにより、反強磁性層15から磁性層14に印加される交換バイアス磁界の向きに対応した情報を記録する。

Claim (excerpt)：

反強磁性層、第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層の順に積層された多層膜を備え、前記反強磁性層から前記第1の磁性層に印加される交換バイアス磁界の向きに対応させて記録値を与えることを特徴とする磁性メモリ。

IPC (2)：

G11B 11/08 ,  G11C 11/15

FI (2)：

G11B 11/08 ,  G11C 11/15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• メモリー素子及び増幅素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-277574   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-023293
  
• 磁気メモリデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-137246   Applicant：沖電気工業株式会社