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J-GLOBAL ID：200903014224764193

薄膜半導体装置とその製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び液晶表示装置

Inventor： 品川 陽明 ,  河内 玄士朗 ,  三村 秋男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998021759
Publication number (International publication number)：1999219905
Application date： Feb. 03, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】薄膜半導体装置を製造する際に、他の製造工程に悪影響を及ぼさない手法で結晶性半導体の結晶粒径を拡大させる。【解決手段】レーザ4を照射する半導体の表面を加工して、レーザ照射時に下地基板に平行な温度勾配の成分がある一方向に生じる形状にする。冷却時に結晶成長はこの温度勾配に平行な方向に起、結晶は下地基板に平行に成長し、垂直方向に成長する場合と異なり下地酸化シリコン膜2との界面や表面で成長が止められることはないので、結晶粒径が1μmと大きい高品質な多結晶シリコン5が形成できる。

Claim (excerpt)：

半導体にエネルギービームを照射して溶融結晶化させて結晶性半導体を作製する薄膜半導体装置の製造方法において、エネルギービーム照射前の半導体表面の形状をレーザ照射時に半導体の下地基板に対して平行な温度勾配の成分がある一方向に生じる形状に加工することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G