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J-GLOBAL ID：200903014227710019

真空成膜方法

Inventor： 野口 達也 ,  室町 隆 ,  荻野 悦男
Applicant, Patent owner： 日本板硝子株式会社 ,  株式会社ダイアックス
Agent (1)： 下田 容一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992264191
Publication number (International publication number)：1994088232
Application date： Sep. 07, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 成膜装置における膜厚制御を長時間連続して可能にする。【構成】 真空槽2の上部両側部に配設した光源21及びホトマル22を備えた原子吸光モニタ20による測定値と設定値に基づいて蒸発源電源26を制御して放電電流を制御する。

Claim (excerpt)：

金属Tiを蒸発源としプラズマで活性化されたO2ガスを反応ガスとして用いるTiO2膜を成膜する真空成膜方法において、この真空成膜方法は蒸発しているTi原子固有の吸光波長を照射する光源及び前記Ti原子内で電子が励起されることによって生じる光の吸収度合を計測するホトマルとを備えた原子吸光モニタを用い、この原子吸光モニタの計測結果に応じて制御装置により成膜速度を制御するようにしたことを特徴とするTiO2膜の真空成膜方法。

IPC (3)：

C23C 14/54 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/32