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J-GLOBAL ID：200903014228157518

パターン形成用材料

Inventor： 工 藤 隆 範 ,  増 田 誠 也 ,  木 下 義 章 ,  クラウス ユルゲン シベラ ,  遠 藤 元 ,  末 廣 なつみ ,  岡 崎 博
Applicant, Patent owner： ヘキストジャパン株式会社
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347042
Publication number (International publication number)：1994194834
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 露光裕度が広く、露光量変化に対してパターン寸法変化の少ないパターン形成材料を提供すること。【構成】 (A)活性線の照射により酸を生成する化合物、(B)活性線照射により塩基を生成もしくは塩基性の増大する化合物、(C)酸により開裂しうる結合を少なくとも1つ有する化合物、および/または(D)水に不溶であるが、アルカリ水溶液には可溶である化合物、を含むことを特徴とする、パターン形成用材料。

Claim (excerpt)：

(A)活性線の照射により酸を生成する化合物、(B)活性線照射により塩基を生成もしくは塩基性の増大する化合物、(C)酸により開裂しうる結合を少なくとも1つ有する化合物、および/または(D)水に不溶であるが、アルカリ水溶液には可溶である化合物、を含むことを特徴とする、パターン形成用材料。

IPC (6)：

G03F 7/028 ,  G03C 1/685 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-144538
  
• 特開平3-153257
  
• 特開平4-162040
  
• 特開平2-296250
  
• 特開平1-300250