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J-GLOBAL ID：200903014252152063

量子ドットの製造方法及び量子ドット装置

Inventor： 中島 安理
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995257409
Publication number (International publication number)：1997102596
Application date： Oct. 04, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 量子ドットの製造方法及び量子ドット装置に関し、簡単な製造工程によって短時間に量子ドットを安定に形成すると共に、多層構造の量子ドット装置を容易に作製する。【解決手段】 化学気相成長法を用いて多結晶IV族半導体薄膜の堆積初期過程におけるIV族半導体核が形成される時間だけ少なくとも堆積を行うことにより絶縁膜1,5上にIV族半導体量子ドット2を形成する。

Claim (excerpt)：

化学気相成長法を用いて多結晶IV族半導体薄膜の堆積初期過程におけるIV族半導体核が形成される時間だけ少なくとも堆積を行うことによりIV族半導体量子ドットを形成したことを特徴とする量子ドットの製造方法。

IPC (10)：

H01L 29/06 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/66 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 33/00

FI (8)：

H01L 29/06 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/66 ,  H01L 33/00 A ,  H01L 29/78 371