Pat

J-GLOBAL ID：200903014258228940

炭素または炭素を主成分とする被膜

Inventor： 伊藤 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994197516
Publication number (International publication number)：1995102377
Application date： Mar. 02, 1988
Publication date： Apr. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 保護膜として用いて剥離等のない炭素被膜を提供する。【構成】 一対の電極12と11との間に被形成面を配置し、例えば高周波供給電力を徐々に変化させることによって、被形成面から連続的にあるいは徐々に硬度を高くする。こうして、得られた炭素または炭素を主成分とする被膜は、被形成面から連続的にあるいは徐々に硬度の高い構造を有しており、被形成面との密着性に優れ、また同時に保護膜として硬度の高い膜となる。

Claim (excerpt)：

被形成面上に形成された炭素を主成分とする被膜であって、前記被膜はその表面に向かって連続的に硬度が高められていることを特徴とする炭素または炭素を主成分とする被膜。

IPC (6)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 ,  C01B 31/04 101 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-073882
  
• 特開昭60-184681