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J-GLOBAL ID：200903014267205120

インプロセス薄膜分析装置

Inventor： 銭谷 福男 ,  田村 正志
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 竹本 松司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998136612
Publication number (International publication number)：1999330187
Application date： May. 19, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 成膜プロセス中(インプロセス)の薄膜の評価を行い、また、評価用のダミー試料を用いることなく薄膜の評価を行う。【解決手段】 成膜プロセス中に薄膜に対して電子線を照射し、該電子線の照射によって薄膜から放出される特性X線を検出することによって薄膜評価を行う分析装置であり、電子線照射系2とX線検出系3とを含む分析部を一つのフランジ4に組み込んで一体構成とすることによって、成膜プロセス中(インプロセス)の薄膜の評価(成膜状態の評価)を可能とする。

Claim (excerpt)：

電子線照射系とX線検出系とを一つのフランジに組み込んで一体構成とする分析部を備え、前記分析部は、フランジによって電子線照射系とX線検出系とを成膜プロセス経路上に一体で取り付け、成膜プロセス中の薄膜分析を可能とする、インプロセス薄膜分析装置。

IPC (6)：

H01L 21/66 ,  G01N 23/225 ,  G21K 5/04 ,  H01J 37/252 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (6)：

H01L 21/66 Z ,  G01N 23/225 ,  G21K 5/04 M ,  H01J 37/252 A ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205