Pat

J-GLOBAL ID：200903014272077050

メモリ素子、磁性薄膜メモリ、メモリ素子の記録方法および再生方法

Inventor： 西村 直樹
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000271736
Publication number (International publication number)：2002083492
Application date： Sep. 07, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】 磁化の向きによって情報を記録するメモリ素子を微細化する際に、情報の保存、再生、記録のいずれの状態においてもメモリ素子の安定動作を可能にし、かつメモリ素子の高集積化を可能にする。【解決手段】 第1の閉磁路構成膜10と第2の閉磁路構成膜20が絶縁層50を介して積層されており、第1の閉磁路構成膜10内の中央部に非磁性層14が形成され、第2の閉磁路構成膜20内の中央部には非磁性層24が形成されている。このメモリ素子では、第1および第2の閉磁路構成膜の各々で閉磁路構成を取り易くなっていて、閉磁路構成膜の各々のスピンの相対角度によって抵抗値が変化する、いわゆるスピントンネル膜構成となっている。情報の保存時、記録時、再生時ともに反磁界による悪影響がなく、閉磁路構成膜から漏洩磁界が漏れ出すことがない。

Claim (excerpt)：

垂直方向内で閉磁路を構成する第1の閉磁路構成膜と、垂直方向内で閉磁路を構成する第2の閉磁路構成膜とが絶縁層を介して積層されていることを特徴とするメモリ素子。

IPC (4)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (4)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12