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J-GLOBAL ID：200903014276847801
レーザーアニール処理装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
有近 紳志郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995258853
Publication number (International publication number)：1997102468
Application date： Oct. 05, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 真空チャンバ(1)から被処理体(M)を取り出すことなく、また、被処理体(M)に膜厚や性質のばらつきがあっても、常に適切なアニールを行えるようにする。【解決手段】 レーザー光(R)を被処理体(M)に斜めに照射すると共に、被処理体(M)で反射された反射レーザー光(L)の強度を光強度測定手段(9)により測定し、その測定した反射レーザー光(L)の強度に基づいてアニールの進行状況を判別する。そして、制御手段(10)により、レーザ照射手段(6)および移動載置台(2)を制御する。【効果】 品質およびスループットを向上できる。
Claim (excerpt)：
密閉容器(1)内に置かれた被処理体(M)に外部からレーザー導入用窓(5)を通してレーザー光(R)を照射するレーザー照射手段(6)と、小面積のレーザー照射部分(P)で前記被処理体(M)の大面積の領域を走査するように前記被処理体(M)を乗せて移動する移動載置台(2)とを備えたレーザーアニール処理装置において、前記レーザー光(R)を被処理体(M)に斜めに照射すると共に、被処理体(M)で反射された反射レーザー光(L)の強度を光強度測定手段(9)により測定し、その測定した反射レーザー光(L)の強度に基づいてアニールの進行状況を判別することを特徴とするレーザーアニール処理装置(100)。
IPC (2)：
H01L 21/268
, H01L 21/324
H01L 21/268 Z
, H01L 21/324 D
Cited by examiner (5)
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