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J-GLOBAL ID：200903014279232450

半導体発光素子の製造方法

Inventor： 小出 典克
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996209270
Publication number (International publication number)：1998041544
Application date： Jul. 19, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 GaN系半導体層内にアンモニアガスから分解した水素が取り込まれないようにする。【解決手段】 アンモニアガスと有機金属化合物ガスを熱分解反応させ、基板の上に半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造する方法において、アンモニアガスを基板へ供給する前に、該アンモニアガスを熱分解し、該分解したガスをパラジウム系金属等の水素吸蔵材料に接触させる。これにより、アンモニアから分解した水素は水素吸蔵材料に吸蔵除去され、GaN系半導体層内に当該水素が取り込まれなくなる。

Claim (excerpt)：

アンモニアガスと有機金属化合物ガスを熱分解反応させ、基板の上に半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造する方法において、前記アンモニアガスを前記基板へ供給する前に、該アンモニアガスを分解し、該分解したガスを水素吸蔵材料に接触させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-250540   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒素化合半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-180709   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-166180   Applicant：三菱電機株式会社