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J-GLOBAL ID：200903014279322742

整流素子

Inventor： 山下 暢彦 ,  松本 聡 ,  谷内 利明
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 長尾 常明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995332514
Publication number (International publication number)：1997153628
Application date： Nov. 29, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】 順方向電流が流れ始める順方向電圧を低くすると共に、逆方向電流を小さくすること。【解決手段】 SOI基板上のシリコン薄膜内の第1の半導体領域3と第3の半導体領域5をn形に、第2の半導体領域2をp形にし、半導体領域3とゲート電極8をアノード端子10に接続し、半導体領域5をカソード端子11に接続した。

Claim (excerpt)：

第1の主面側に埋込み絶縁層を有する支持基板と、第1の導電形の第1の半導体領域、該第1の半導体領域に隣接し第1の導電形と反対の第2の導電形の第2の半導体領域、および該第2の半導体領域に隣接すると共に上記第1の半導体領域と隣接しない第1の導電形の第3の半導体領域を有し、上記絶縁層上面に設けられた単結晶半導体膜と、上記第2の半導体領域の表面にゲート絶縁膜を介在して形成されたゲート電極と、上記第1の半導体領域の表面にオーミックコンタクトされた第1の配線用金属層と、上記第3の半導体領域の表面にオーミックコンタクトされた第2の配線用金属層とを具備し、上記ゲート電極と上記第1の配線用金属層とを共通接続してアノード端子とすると共に、上記第2の配線用金属層をカソード端子としたことを特徴とする整流素子。

IPC (4)：

H01L 29/861 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/786

FI (4)：

H01L 29/91 L ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/78 622