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J-GLOBAL ID：200903014285181042

半導体装置のコンタクト形成方法

Inventor：
南部 英高

About 南部 英高


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998325550
Publication number (International publication number)：2000150415
Application date： Nov. 16, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 基板に垂直でアスペクト比が高いコンタクトを加工する場合であっても、抜け性とボ-イング形状の双方を同時に達成可能な半導体装置のコンタクト形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板2の表面上に酸化膜を形成する工程と、フォトリソグラフィにより前記酸化膜のコンタクト5形成予定領域をエッチングしてコンタクト5を途中まで形成する第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程よりも低い温度で前記酸化膜を更にエッチングしてコンタクト5を形成する第2エッチング工程と、を有する。
Claim (excerpt)：
半導体基板の表面上に酸化膜を形成する工程と、フォトリソグラフィにより前記酸化膜のコンタクト形成予定領域をエッチングしてコンタクトを途中まで形成する第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程よりも低い温度で前記酸化膜を更にエッチングしてコンタクトを形成する第2エッチング工程と、を有することを特徴とする半導体装置のコンタクト形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/3065
FI (3)：
H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/302 J
F-Term (14)：
4M104DD07 ,  4M104DD10 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104EE02 ,  4M104EE14 ,  4M104FF27 ,  4M104HH14 ,  5F004BD03 ,  5F004CA04 ,  5F004DB03 ,  5F004EA28 ,  5F004EA30 ,  5F004EB01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-250623
  • ドライエッチング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-093860   Applicant：ソニー株式会社
  • ドライエツチング装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-326453   Applicant：日本電気株式会社
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