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J-GLOBAL ID：200903014290195795

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 堀野 和彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996184382
Publication number (International publication number)：1998032367
Application date： Jul. 15, 1996
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザ及び製造方法に関し、サファイア基板の劈開を利用して短波長半導体レーザの共振器面を形成する。【解決手段】 サファイア基板1の主面をd面2にすると共に、出射端面側のサファイア基板1の端面をr面4とし、且つ、GaN系化合物半導体層3の共振器面を{11-20}面5とする。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上にGaN系化合物半導体層を積層させた半導体レーザにおいて、前記サファイア基板の主面をd面にすると共に、出射端面側の前記サファイア基板の端面をr面とし、且つ、前記GaN系化合物半導体層の共振器面を{11-20}面としたことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/12 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/12 S ,  H01L 33/00 C