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J-GLOBAL ID：200903014290590252

複合半田材料

Inventor： 小柏 俊典
Applicant, Patent owner： 田中電子工業株式会社
Agent (1)： 早川 政名
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995277479
Publication number (International publication number)：1997122967
Application date： Oct. 25, 1995
Publication date： May. 13, 1997
Summary：

【要約】【課題】半田材料内部に固体粒子を分散させることで半導体素子を基板やリードフレームに水平に接合し得、且つ選定された半田材料の液相線温度近くの低温度で溶融接合して半導体素子や基板のそり,半田材料の残留歪を抑制出来、さらにボイド生成を抑制して接合強度の低下を防止し得る複合半田材料を提供する。【解決手段】Sn,Pb,In等をベース金属とする半田材料中に、固体粒子として平均粒径1〜30μm、(短径/長径)が0.4〜1.0の金属間化合物粒子を、0.01〜1.0容量%含有してなる半導体素子接合用複合半田材料。

Claim (excerpt)：

半田材料に固体粒子として平均粒径が1〜30μmの金属間化合物粒子を0.01〜1.0容量%含有してなることを特徴とする半導体素子接合用複合半田材料。

IPC (4)：

B23K 35/24 310 ,  B23K 35/14 ,  B23K 35/40 340 ,  H01L 21/52

FI (4)：

B23K 35/24 310 ,  B23K 35/14 Z ,  B23K 35/40 340 H ,  H01L 21/52 E