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J-GLOBAL ID：200903014292802613
窒化物半導体発光ダイオード
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217594
Publication number (International publication number)：1997064421
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：
【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるLED実現するにあたり、外部量子効率の低下を少なくして、発光チップの放熱性のよいLEDを実現する。【構成】 発光チップの透明基板の第一の主面側に発光層を含む窒化物半導体が形成され、第二の主面側に発光層の光を反射する反射膜が形成されており、反射膜を有する第二の主面と支持体とが金属を含む熱伝導率の良い導電性材料で接続されていることにより、反射膜で発光層の光を反射して、導電性材料で放熱効果を高める。
Claim (excerpt)：
第一の主面と第二の主面とを有する透明基板の第一の主面側に発光層を含む窒化物半導体が形成され、かつ第二の主面側に発光層の光を反射する反射膜が形成されており、前記反射膜を有する第二の主面と支持体とが金属を含む導電性材料で接続されていることを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。
FI (2)：
H01L 33/00 N
, H01L 33/00 C
