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J-GLOBAL ID：200903014296334002

半導体光素子

Inventor： 松 山 隆 之
Applicant, Patent owner： 東芝電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000356423
Publication number (International publication number)：2002164622
Application date： Nov. 22, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】 メサ部の周囲に設けられた溝を埋め込んでその表面を確実且つ容易に平坦化することができる半導体光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基体上に凹部を設けることにより活性領域を有するメサ部が形成されてなる半導体光素子であって、前記凹部がベンゾシクロブテンを主成分とする埋め込み樹脂により充填されたことを特徴とする。このようにすれば、凹部の平坦性改善、低誘電率、低吸水性などが達成され、高性能、高信頼性を有する半導体光素子を提供することができる。逆メサに対して特に顕著な効果を有する。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に凹部を設けることにより活性領域を有するメサ部が形成されてなる半導体光素子であって、前記凹部がベンゾシクロブテンを主成分とする埋め込み樹脂により充填されたことを特徴とする半導体光素子。

IPC (2)：

H01S 5/223 ,  H01S 5/042 610

FI (2)：

H01S 5/223 ,  H01S 5/042 610

F-Term (9)：

5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073CB11 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA14 ,  5F073EA24