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J-GLOBAL ID：200903014307092227

昇華育種による炭化シリコン単結晶の製造方法及び装置

Inventor： シユテフアニ、デイートリツヒ ,  フエルクル、ヨハネス
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996518014
Publication number (International publication number)：1998509689
Application date： Nov. 14, 1995
Publication date： Sep. 22, 1998
Summary：

【要約】反応室(2)は気密な壁(20)により囲まれ、少なくとも反応室(2)に面する壁(20)の内側(21)はCVDプロセスにより製造された炭化シリコンから成る。壁(20)の炭化シリコンの少なくとも一部は昇華され、種結晶(3)上に炭化シリコンの単結晶(4)として成長させられる。

Claim (excerpt)：

a)壁(20)により気密に囲まれている少なくとも1つの反応室(2)を備え、その際壁(20)の少なくとも反応室に面する内側(21)は化学蒸着(CVD)法により製造された炭化シリコンから成っており、b)壁(20)の炭化シリコンの少なくとも一部を昇華し、種結晶(3)上に炭化シリコンの単結晶として成長させる炭化シリコン単結晶の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特公昭32-000385
  
• 特開昭62-297291
  
• 炭化ケイ素単結晶の成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-037208   Applicant：日新製鋼株式会社

Cited by examiner (3)

• 特公昭32-000385
  
• 特開昭62-297291
  
• 炭化ケイ素単結晶の成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-037208   Applicant：日新製鋼株式会社