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J-GLOBAL ID：200903014307415018

ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ

Inventor： 栗島 賢二 ,  井田 実 ,  小林 隆
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994206022
Publication number (International publication number)：1996051118
Application date： Aug. 08, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 コンタクト抵抗を低減させたヘテロ接合型バイポーラトランジスタをうることを目的とする。【構成】 基板10上に、n型GaInAsからなるコンタクト層8、p型Gax In1-x Asからなるベース層7およびn型InPからなるエミッタ層5が順次積層されてなるトランジスタにおいて、前記ベース層7とエミッタ層5との間にGa組成がxよりも高いyを有するGay In1-y Asからなるコンタクトスペーサ層12が設けられているヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。

Claim (excerpt)：

n型GaInAsからなるコレクタ層、p型Gax In1-xAsからなるベース層およびn型InPからなるエミッタ層が順次積層されてなるトランジスタにおいて、前記ベース層とエミッタ層との間にGa組成がxよりも高いyを有するGay In1-y Asからなるコンタクトスペーサ層が設けられていることを特徴とするヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205