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J-GLOBAL ID:200903014313660792

半導体パワーモジュール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高田 守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992172774
Publication number (International publication number):1994021323
Application date: Jun. 30, 1992
Publication date: Jan. 28, 1994
Summary:
【要約】【目的】 電力制御半導体素子の電源ライン上でのサージ電圧の発生を抑制する。【構成】 電源端子PS(NP)において、板状の導体で構成され、正及び負の電源電位をそれぞれ伝達する2つの電源端子PS(P)、PS(N)が、絶縁体の合成樹脂等で構成される絶縁シートINS1を間に挟んで、互いに密着して設けられている。絶縁シートINS1の厚さは、例えば0.5mm〜1.5mmである。【効果】 電源端子PS(P)から電力制御半導体素子を経て、電源端子PS(N)へ至る電源ラインのインダクタンスが低く抑えられるので、電源端子PS(P)、PS(N)相互の間に発生するサージ電圧が抑制される。
Claim (excerpt):
半導体パワーモジュールであって、(a)電力を制御する電力制御半導体素子と、(b)回路基板と、を備え、前記回路基板が、(b-1)板状の絶縁体を有する基板本体と、(b-2)前記基板本体の主面の1に、その主要部が互いに隣接して設けられ、前記電力制御半導体素子へそれぞれ第1及び第2の電源電位を伝達する第1及び第2の配線パターンと、を備え、(c)前記第1及び第2の配線パターンにそれぞれ接続される第1及び第2の電源端子であって、前記第1及び第2の配線パターンをそれぞれ流れる電源電流の方向が互いに実質的に反平行となるように、互いに近接して設けられる第1及び第2の電源端子、を更に備える半導体パワーモジュール。

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