Pat

J-GLOBAL ID：200903014319714207

MIS型半導体装置およびその製造方法

Inventor： 山下 恭司 ,  小田中 紳二
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991162754
Publication number (International publication number)：1993013756
Application date： Jul. 03, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ゲート容量が小さく、かつホットエレクトロン劣化に強いMIS型半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 サイドウオール7と半導体基板1の間のゲート酸化膜4より高い比誘電率を有する第2絶縁膜(例えばTa2O5)5によりドレイン近傍の高電界が緩和され、ホットエレクトロン劣化に強く、かつ従来のサイドウオールに高誘電体を用いたものよりゲート側壁のフリンジ容量とゲートの上を走る配線とゲート電極の寄生容量の2つをかなり低減することができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板の一主面に形成された第2導電型の高濃度ソース、ドレイン拡散層と、前記高濃度ソース、ドレイン拡散層の間の前記半導体基板の一主面に接触し、かつ前記高濃度ソース、ドレイン拡散層の側面にそれぞれ接触するように前記半導体基板の一主面に形成された第2導電型の低濃度拡散層と、前記低濃度拡散層の間の一主面にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記半導体基板の上部で、かつ前記半導体基板の一主面に接触し、かつ前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜の側面にそれぞれ接触し、かつ前記ゲート絶縁膜の比誘電率より高い比誘電率を有する第2絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記ゲート電極の側部に、前記ゲート絶縁膜の比誘電率と同程度の比誘電率を有する側壁を備えたことを特徴とするMIS型半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 L