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J-GLOBAL ID：200903014334577607

p-nヘテロ接合を有する赤外発光ダイオード及びその製造方法

Inventor： 倉田 一宏 ,  甲田 満 ,  富田 祐志
Applicant, Patent owner： 日新製鋼株式会社
Agent (1)： 小橋 信淳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992217276
Publication number (International publication number)：1994045646
Application date： Jul. 23, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 外部発光効率,内部量子効率等に優れた高性能の赤外発光ダイオードを得る。【構成】 GaAs結晶基板1の上に、n型GaAs層,p型GaAs層3を常法によってエピタキシャル成長させる。n型GaAs層は、省略することもできる。p型GaAs層3の上に更にn型Ga1-x Alx As混晶層7を成長させ、p型GaAs層3との間にp-nヘテロ接合8を形成する。n型混晶層7の上には、更にn+型層9を成長させても良い。n型混晶層7のエッチング除去,Znの選択拡散によるn型混晶層7のp型への変換,逆方向電流の通電によるp-nヘテロ接合8の降伏破壊等によって、p型層3に至る非整流性電流通路12を形成し、n型及びp型に対するオーミック電極5,6を取り付ける。

Claim (excerpt)：

GaAs基板結晶の上に設けられ、Siのヘビードープによるディープアクセプターをもつp型GaAs層と、該p型GaAs層に重畳して設けられ、Si以外のTe,S,Se,Sn等のシャロードナーをドープしたGa1-x Alx Asからなるn型混晶層と、前記p型GaAs層と前記混晶層との間に形成されたp-nヘテロ接合と、該p-nヘテロ接合の一部を消滅又は破壊して形成され、チップ表面から前記p型層に至る非整流性電流通路とを備えていることを特徴とするp-nヘテロ接合を有する赤外発光ダイオード。