Pat

J-GLOBAL ID：200903014346796789

イオン照射装置

Inventor： 安東 靖典
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991270061
Publication number (International publication number)：1993082075
Application date： Sep. 20, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基板近傍のプラズマ電位の制御、ひいては基板の表面電位の制御を可能にし、それによって基板の帯電防止を効果的に行うことができるようにしたイオン照射装置を提供する。【構成】 真空容器2内に、導電性のものであって、少なくとも基板台4の周りからその上流側にかけての部分を取り囲む内張り42を真空容器2から電気的に絶縁して設けた。かつ、この内張り42の電位を制御する電位制御電源44を設けた。

Claim (excerpt)：

イオン源から引き出したイオンビームを真空容器内の基板台に載せた基板に照射するものであって、イオンビーム照射と共にプラズマを基板近傍に発生させるようにしたイオン照射装置において、前記真空容器内に、導電性のものであって、少なくとも前記基板台の周りからその上流側にかけての部分を取り囲む内張りを真空容器から電気的に絶縁して設け、かつこの内張りの電位を制御する電位制御電源を設けたことを特徴とするイオン照射装置。

IPC (4)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/00 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/265

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-102755
  
• 特開昭58-071546
  
• 特開昭63-224139