Pat
J-GLOBAL ID：200903014351497595
エッチング処理方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992146388
Publication number (International publication number)：1994168914
Application date： May. 13, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 HFガスを用いた異方性エッチング・プロセスの提供。【構成】 露点温下でHFガスを使用して、SiO2 をエッチングすることにより、反応生成物の重合しない異方性の高いエッチング・プロセスが得られる。
Claim (excerpt)：
真空容器内に被処理体を搬入する工程と、上記被処理体をエッチング反応時に生成する反応生成物の少なくとも一種がエッチング側壁に付着する温度以下に冷却する工程と、上記真空容器内に少なくともHFガスを含む処理ガスを供給する工程と、上記処理ガスをプラズマ化する工程とを具備してなることを特徴とするエッチング処理方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
Show all
Return to Previous Page
