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J-GLOBAL ID：200903014356535444

半導体装置

Inventor： 上田 一朗 ,  釘宮 公一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992030726
Publication number (International publication number)：1993226715
Application date： Feb. 18, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板の上に電極層と強誘電体層を備え、前記電極層と強誘電体薄膜との間に金属酸化物層を備えたことにより、強誘電体の組成の変成または拡散を防ぐ。【構成】 半導体基板1の表面に電極層2を形成し、その表面に金属酸化物層3を形成し、その表面に強誘電体薄膜4を形成する。金属酸化物層3の厚さは好ましくは数10nm程度である。また金属酸化物層3はBa,Srなどの酸化物層を用いる。強誘電体薄膜4はPbTiO3 ,Pb(ZrTi)O3 ,(PbLa)(ZrTi)O3 などである。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上に電極層と強誘電体薄膜を備えた半導体装置であって、前記電極層と強誘電体薄膜との間に金属酸化物層を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 41/02 ,  H01L 37/02