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J-GLOBAL ID：200903014366261890

III族窒化物結晶の成長方法

Inventor： 佐藤 史隆 ,  中畑 成二
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008006854
Publication number (International publication number)：2009167053
Application date： Jan. 16, 2008
Publication date： Jul. 30, 2009
Summary：

【課題】簡便に効率よく転位密度の低いIII族窒化物結晶を成長させる方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶の成長方法は、少なくとも主面10m側にIII-V族化合物種結晶10aを含む基板10を準備する工程と、気相エッチングにより基板10の主面10mに複数のファセット10ms,10mt,10muを形成する工程と、ファセット10ms,10mt,10muが形成された主面10m上にIII族窒化物結晶20を成長させる工程と、を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一主面を有するIII族窒化物種結晶を含む基板を準備する工程と、 気相エッチングにより前記基板の前記主面に複数のファセットを形成する工程と、 前記ファセットが形成された前記主面上にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、を備えるIII族窒化物結晶の成長方法。

IPC (5)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/02 ,  H01L21/205

F-Term (38)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK10 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030KA02 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045DP07 ,  5F045DQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特再表WO98/047170号公報
  

Cited by examiner (1)

• 車両用照明システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-027335   Applicant：豊田合成株式会社