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J-GLOBAL ID：200903014374558958

半導体装置の製造方法および製造設備

Inventor： 牛山 雅弘 ,  大路 譲 ,  田地 新一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991161411
Publication number (International publication number)：1993013773
Application date： Jul. 02, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】界面不整合緩和に必要なハロゲンを導入し、プロセス条件の変動に対して、安定な特性をもつゲート絶縁膜を形成する、半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。【構成】酸化Si膜とSi膜またはSi基板との界面の厚さが2nmの領域に、Siおよび酸素以外の元素を1×1012〜1×1014cm~2含有させるようにする。

Claim (excerpt)：

電界効果型トランジスタに用いる酸化Si膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、上記酸化Si膜とSi膜またはSi基板との界面の厚さが2nmの領域に、Siおよび酸素以外の元素を1×1012〜1×1014cm~2含有させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 F