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J-GLOBAL ID:200903014376668114

熱電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高畑 正也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993256465
Publication number (International publication number):1995094787
Application date: Sep. 20, 1993
Publication date: Apr. 07, 1995
Summary:
【要約】【目的】 炭化珪素の多孔質成形体からなる安定材質と優れた変換効率を備える高性能な熱電変換素子を提供する。【構成】 気孔率が各65〜95%の範囲にあるp型半導体およびn型半導体の多孔質炭化珪素成形体を接合してなる熱電変換素子。
Claim (excerpt):
気孔率が各65〜95%の範囲にあるp型半導体およびn型半導体の多孔質炭化珪素成形体を接合してなることを特徴とする熱電変換素子。
IPC (2):
H01L 35/22 ,  H01L 35/00

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