集積化フォトセンサ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999232972
Publication number (International publication number)：2001060677
Application date： Aug. 19, 1999
Publication date： Mar. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】簡単に製造でき、且つ、干渉による影響から生ずる光学特性のばらつきを適切に抑制することのできる集積化フォトセンサを提供する。【解決手段】集積化フォトセンサのセンサ部200は、1つのチップとしてのシリコン基板1上に、受光素子としてのフォトダイオード4と、該ダイオード4からの電気信号を処理する信号処理回路用素子5、6とが互いに別部位に形成されており、基板1上におけるダイオード4以外の領域には受光領域を設定するための遮光膜34が形成されており、該遮光膜34と基板1との間には、電気絶縁性を有するシリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜30が介在設定されている。ここで、層間絶縁膜30は該ダイオード4の受光面上にも形成されており、該受光面上に形成された層間絶縁膜30aの上は、層間絶縁膜30と略同等の屈折率を有するシリコンゲル等の光透過性ゲル100にて覆われている。

Claim (excerpt)：

1つのチップ(1)上に、光を受光して電気信号に変換する受光素子(4)と、該受光素子からの電気信号を処理する信号処理回路用素子(5、6)とが互いに別部位に形成されており、前記チップ上における前記信号処理回路用素子の形成領域には、受光領域を設定するための遮光膜(34)が形成されており、この遮光膜と前記チップとの間には、電気絶縁性を有する層間絶縁膜(30)が介在設定されている集積化フォトセンサにおいて、前記層間絶縁膜は前記受光素子上にも形成されており、前記受光素子上に形成された層間絶縁膜(30a)の上は、前記層間絶縁膜と略同等の屈折率を有する光透過性ゲル(100)にて覆われていることを特徴とする集積化フォトセンサ。

IPC (2)：

H01L 27/14 , H01L 31/10

FI (3)：

H01L 27/14 Z , H01L 27/14 D , H01L 31/10 A

F-Term (24)：

4M118AA06 , 4M118AB10 , 4M118BA02 , 4M118CA04 , 4M118CA33 , 4M118CA34 , 4M118FC09 , 4M118FC20 , 4M118GB03 , 4M118GB06 , 5F049MA02 , 5F049MB03 , 5F049NA20 , 5F049NB10 , 5F049PA10 , 5F049QA15 , 5F049RA03 , 5F049RA06 , 5F049SE05 , 5F049SS03 , 5F049SZ10 , 5F049SZ12 , 5F049SZ13 , 5F049TA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

BiCMOS内蔵受光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-239282 Applicant：浜松ホトニクス株式会社
ホトダイオード内蔵集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-107821 Applicant：三洋電機株式会社
固体撮像素子及びその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-160230 Applicant：ソニー株式会社

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