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J-GLOBAL ID：200903014402706038

半導体ウエーハの洗浄方法及びその装置

Inventor： 福田 泰夫
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 森 正澄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993178728
Publication number (International publication number)：1995037848
Application date： Jul. 20, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 アルカリ系洗浄でのパーティクル除去能力を高め且つピットの発生をなくし、更に金属不純物の低減を図り、搬送用ロボットの動作数及び洗浄槽数を低減でき、半導体ウエーハの品質向上を可能とする。【構成】 半導体ウエーハの表面に付着したパーティクルや金属不純物等を除去する半導体ウエーハの洗浄方法であって、薬液を用いた洗浄処理を減圧下で行う構成とされている。また、半導体ウエーハの表面に付着したパーティクルや金属不純物等を除去する半導体ウエーハの洗浄装置であって、内部に半導体ウエーハが収容される洗浄処理部に、アルカリ系洗浄液を供給するアルカリ系洗浄液供給部と、酸系洗浄液を供給する酸系洗浄液供給部と、純水を供給する純水供給部と、前記洗浄液及び純水を排出する排出部と、洗浄処理部内を減圧する減圧手段と、超音波振動手段を備えた構成である。

Claim (excerpt)：

半導体ウエーハの表面に付着したパーティクルや金属不純物等を除去する半導体ウエーハの洗浄方法において、アルカリ性薬液及び酸性薬液を用いた洗浄処理を減圧下で行い、前記薬液による洗浄処理後に、同一の洗浄処理部において減圧下又は常圧下で純水による洗浄処理及び乾燥処理を行うことを特徴とする半導体ウエーハの洗浄方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 351