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J-GLOBAL ID：200903014403400056
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993234684
Publication number (International publication number)：1995094782
Application date： Sep. 21, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 p層を発光観測面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の外部量子効率を向上させると共に、主としてワイヤーボンディング時にp層の電極、およびボンディング用の電極の剥がれをなくして信頼性に優れた発光素子を提供する。【構成】 p型窒化ガリウム系化合物半導体層(3)表面のほぼ全面に、透光性の第一の電極(11)が形成されていると共に、前記第一の電極(11)には、その第一の電極(11)の一部を貫通した窓部(13)が形成されており、さらに前記窓部(13)には、第一の電極(11)と電気的に接続されたボンディング用の第二の電極(12)が形成されており、さらにまた前記第二の電極(12)は第一の電極(11)よりも強固にp型窒化ガリウム系化合物半導体層(3)に接着されている。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板(1)の上に少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体層(2)と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層(3)とが順に積層されており、そのp型窒化ガリウム系化合物半導体層(3)側を発光観測面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層(3)表面のほぼ全面に、透光性の第一の電極(11)が形成されていると共に、前記第一の電極(11)には、その第一の電極(11)の一部を貫通した窓部(13)が形成されており、さらに前記窓部(13)には、第一の電極(11)と電気的に接続されたボンディング用の第二の電極(12)が形成されており、さらにまた前記第二の電極(12)は第一の電極(11)よりも強くp型窒化ガリウム系化合物半導体層(3)に接着されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
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