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J-GLOBAL ID：200903014411912813

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 坂本 治
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992342092
Publication number (International publication number)：1994196480
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 セルフアラインコンタクト構造を有する半導体装置において基板表面の平坦性を向上させる。【構成】 ゲート電極3aおよび3b上にエッチングストッパ層10aおよび10bを形成する。

Claim (excerpt)：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面上の所定領域に第1の絶縁膜を介して形成された第1の導電層と、前記第1の導電層の上部表面上に形成されたエッチングストッパ層と、前記半導体基板と前記エッチングストッパ層の一部とを覆うように形成され、前記半導体基板の所定領域上に開口を有する第2の絶縁膜と、前記開口内で前記半導体基板表面と電気的に接続されるとともに、前記エッチングストッパ層上に沿って延びるように形成された第2の導電層とを備えた、半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/90 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 21/88 C ,  H01L 29/78 301 Y