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J-GLOBAL ID：200903014438569630

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 蝦名 昭彦
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995224324
Publication number (International publication number)：1997069570
Application date： Aug. 31, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】【目的】回路上にヒューズを有する半導体装置において、半導体装置自体の信頼性を損なわずにヒューズ溶断の確実性を確保する。【構成】従来ヒューズの溶融・飛散を確実にするために設けられていた、ヒューズ3の上側の保護膜1に開口部が無く、層間絶縁膜4と保護膜1が存在する。代わりにヒューズ3の下側に中空部6を設けて、飛散するヒューズ材の受容部とする。【効果】ヒューズ上側に保護膜開口部がないことにより、外部からの水分や汚染の侵入による回路特性の劣化などの信頼性上の問題を回避できる。さらに中空部が飛散物を受容することでヒューズ切断の確実性を損なうこともない。

Claim (excerpt)：

ヒューズを備えた半導体装置において、第1の絶縁膜上にフォトリソ技術によりパターン形成されたヒューズと、少なくとも前記ヒューズを覆うように前記ヒューズと前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜とを備え、前記ヒューズの溶断部分の下側の第1の絶縁膜との間に空間を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 21/82 F ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/10 691