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J-GLOBAL ID：200903014443672440
半導体基板上にシリコン材料の上部構造体を形成する製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
萼 経夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996145474
Publication number (International publication number)：1997102483
Application date： Jun. 07, 1996
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】上部構造体を破壊することなくシリコン酸化膜層を除去することを可能にした、半導体基板上の上部構造体を形成する製造方法を提供すること。【解決手段】 基板1と上部構造体10との間からシリコン酸化膜5の少なくとも一部分を除去、蒸発させて基板1と上部構造体10との間に空間を残すガス処理方法。シリコン酸化膜層5は2段階で除去される。第1段階では、シリコン酸化膜層の大部分を高速液体またはガスエッチング処理で除去し、シリコン酸化膜層の少なくとも上部構造体の真下の部分をそのまま残すことによって洗浄サイクル中に上部構造体を支持できるようにする。第2シリコン酸化膜除去段階では、比較的高濃度の無水HFを含有する高流速ガス環境内へ基板を導入し、上部構造体の真下のシリコン酸化膜が除去されるまでそれに水蒸気を追加しないか、比較的極少量の水蒸気を与えるだけにする。
Claim (excerpt)：
基板上に形成される三次元上部構造体の少なくとも一部分が基板上のシリコン酸化膜層の上に重なり、かつその酸化膜層に支持された状態で基板上にシリコン材料で作り上げられる前記上部構造体を形成する製造方法であって、シリコン酸化膜層を2段階で除去し、第1段階では、液体またはガスの高速エッチング処理によって大部分のシリコン酸化膜層を除去し、シリコン酸化膜層の少なくとも上部構造体の真下の部分をそのまま残して、洗浄サイクル中に上部構造体を支持できるようにし、シリコン酸化膜を除去する第2段階では、無水HFを含有する高流速のガス体の環境内へ基板を導入し、前記上部構造体の真下のシリコン酸化膜が除去されるまで前記ガス体に水蒸気を追加しないか、比較的少量の水蒸気を与えるだけにすることを特徴とする方法。
FI (2)：
H01L 21/306 D
, H01L 21/306 Z
