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J-GLOBAL ID：200903014463442513

半導体発光素子装置、画像表示装置及び半導体発光素子

Inventor：
琵琶 剛志

About 琵琶 剛志

, 
鈴木 淳

About 鈴木 淳

, 
土居 正人

About 土居 正人


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004345505
Publication number (International publication number)：2006156733
Application date： Nov. 30, 2004
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：
【課題】単純マトリクス方式を採用した時などにおける素子間の共通配線を用いる場合であっても、リーク電流の問題を抑えることの可能な画像表示装置を提供する。【解決手段】 光を発生させる活性層を第1導電型クラッド層と反対導電型クラッド層で挟んで構成される複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を基板上に配列させ、該窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の前記第1導電型クラッド層と接続する一方の電極を複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の間で共通配線させると共に、該第1導電型クラッド層の厚みを100nm以上とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
光を発生させる活性層を第1導電型クラッド層と反対導電型クラッド層で挟んで構成される複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を基板上に配列させ、該窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に接続する一方の電極を複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の間で共通配線させると共に、該第1導電型クラッド層の厚みが100nm以上とされることを特徴とする半導体発光素子装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  G09F 9/33
FI (2)：
H01L33/00 C ,  G09F9/33 Z
F-Term (21)：
5C094AA09 ,  5C094AA25 ,  5C094BA12 ,  5C094BA25 ,  5C094CA19 ,  5C094CA23 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094JA08 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041FF06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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