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J-GLOBAL ID：200903014463702264
半導体装置の絶縁膜およびその絶縁膜形成用塗布液
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992331689
Publication number (International publication number)：1994181201
Application date： Dec. 11, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】吸水性が小さく、密着性および耐クラック性が高い半導体装置の絶縁膜、およびその絶縁膜の形成用塗布液の提供。【構成】チタン、ジルコニウム、ニオブおよびタンタルから選ばれる少なくとも1種の元素と、ケイ素および酸素とを含む半導体装置の絶縁膜、およびその絶縁膜形成用塗布液。
Claim (excerpt)：
チタン、ジルコニウム、ニオブおよびタンタルから選ばれる少なくとも1種の元素と、ケイ素および酸素とを含む半導体装置の絶縁膜。
IPC (2)：
H01L 21/316
, H01L 21/312
