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J-GLOBAL ID：200903014482589118

有機膜のエッチング方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法

Inventor： 林 久貴 ,  大内 淳子 ,  大岩 徳久 ,  小島 章弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000275170
Publication number (International publication number)：2002093778
Application date： Sep. 11, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 酸化膜と有機膜との界面での剥離を防止し、精度よくエッチング形状を達成することのできるプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】 有機膜上に、SOGなどの酸化膜のマスクパターンを形成する。パターニングしたSOG膜をマスクとして用い、SOG膜の下層に位置する有機膜を、アンモニア(NH3)ガス、二酸化窒素(NO2)ガス、シアン化水素(HCN)ガス、メタン(CH4)ガス、エチレン(C2H4)ガス、メタノールガス、エタノールガスから成るグループから選択されるいずれか1のガスを導入して、酸素ガスとの混合ガスプラズマによりエッチングする。このようなガスプラズマを用いることにより、酸化膜と有機膜との界面で窒素分子の再結合による発泡現象を防止し、酸化膜のマスクパターンを精度よく有機膜に転写することができる。

Claim (excerpt)：

有機膜上に、酸化膜のマスクパターンを形成するステップと、NXy(y≧2、Xはフッ素を除く)ガス、シアン化物ガス、パラフィン系炭化水素ガス、オレフィン系炭化水素ガス、または脂肪族飽和アルコールガスを導入するステップと、プラズマ放電により、前記ガスを活性化させて、前記有機膜を前記マスクパターンに沿って加工するステップとを含む有機膜のエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/90 M

F-Term (41)：

5F004AA05 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA25 ,  5F004DA28 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB23 ,  5F004EA02 ,  5F004EA06 ,  5F004EA22 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ29 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX03 ,  5F033XX12 ,  5F046NA07 ,  5F046NA17 ,  5F046NA18 ,  5F046PA09 ,  5F046PA11