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J-GLOBAL ID：200903014494491369

半導体レーザ素子

Inventor： 粕川 秋彦
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993180777
Publication number (International publication number)：1995015085
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低しきい値電流、高温動作を実現できる半導体レーザ素子を提供する。【構成】 p型半導体基板11上に、多重量子障壁層13、歪量子井戸活性層16を順次積層して構成する。

Claim (excerpt)：

p型半導体基板上に、多重量子障壁層、歪量子井戸活性層を順次積層したことを特徴とする半導体レーザ素子。