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J-GLOBAL ID：200903014506157621

バソプレッシン拮抗物質としてのベンズアミド誘導体

Inventor： 瀬戸井 宏行 ,  大川 武彦 ,  善光 龍哉 ,  逸見 恵次 ,  田中 洋和
Applicant, Patent owner： 藤沢薬品工業株式会社
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995527525
Publication number (International publication number)：1997512528
Application date： Apr. 21, 1995
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】この発明は、バソプレッシン拮抗作用などを有し、一般式(I):[ここに、R1は低級アルキルで置換されていてもよいアリールなどであり、R2は低級アルキルなどであり、R3は水素などであり、R4はアリールなどであり、XはCHまたはNであり、YはCHまたはNである]で表わされる新規ベンズアミド誘導体およびそれらの医薬として許容される塩、それらの製造法ならびにそれらを含有する医薬組成物に関するものである。

Claim (excerpt)：

[請求項1] 式の化合物おらびその医薬として許容される塩。式中、R1は低級アルキル、アリール、シクロ低級アルキルまたは複素環基であり、それらの各々は、ハロゲン;ヒドロキシ;ニトロ;アミノ;アシル;置換アシル;アシル低級アルキルスルフィニル;アシル低級アルキルスルホニル;アシルオキシ;低級アルキルアミノ低級アルキルカルバモイルオキシ;アリール;シアノ;複素環基;アシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルケニル;アミノ、アシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換されていてもよい低級アルキニル;ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、ヒドロキシ、アシルオキシ、アシル低級アルカノイルオキシ、アシル、置換アシルもしくはアシル低級アルコキシイミノで置換されていてもよい低級アルキル;アシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルキルチオ;アリール、置換アリール、ヒドロキシ、アシルオキシ、アミノ、低級アルキルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、アシル置換ピリジル、置換アシル置換ピリジル、ハロゲン、アシル低級アルキルアミノ、N-保護アシル低級アルキルアミノ、N-アシル低級アルキル-N-低級アルキルアミノ、アシル、置換アシル、アシルアミノ、置換アシルアミノ、低級アルキルヒドラジノカルボニルアミノ、ヒドロキシイミノ、アシル低級アルコキシイミノもしくは置換アシル低級アルコキシイミノで置換されていてもよいアルコキシ;およびアシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルケニルオキシからなる群から選ばれた置換基で置換されていてもよく; R2は、ヒドロキシ、アリールもしくはアシルで置換されていてもよい低級アルキル;またはシクロ低級アルキルであり; R3は水素、ハロゲン、低級アルキル、低級アルコキシ、ニトロまたはアミノであり; R4は低級アルキル;アリール;または置換アリールであり; XはCHまたはNであり; YはCHまたはNである。[請求項2] 請求項1の化合物であって、 R1がアリール、シクロ低級アルキルまたは複素環基であり、それらの各々は、ハロゲン;ヒドロキシ;ニトロ;アミノ;アシル;アシルオキシ;アリール;低級アルケニル;アシル低級アルケニル;アミノ、低級アルキルアミノ、保護されたアミノもしくはアシルで置換されていてもよい低級アルコキシ;およびヒドロキシ、低級アルキルアミノ、アシル、アシルオキシもしくはアシル低級アルカノイルオキシで置換されていてもよい低級アルキルからなる群から選ばれた置換基で置換されていてもよく; R2が低級アルキルまたはシクロ低級アルキルであり、 R3が水素、ハロゲンまたは低級アルコキシであり; R4が低級アルキルであるかまたはハロゲン、ニトロ、アミノもしくは低級アルキルアミノで置換されていてもよいアリールであり; YがCHである化合物。[請求項3] 請求項2の化合物であって、 R1がアリールまたはハロアリールであり、それらの各々がアシルで置換された低級アルコキシで置換されており、 R2が低級アルキルであり、 R4がアミノで置換されていてもよいアリールであり、 XがCHである化合物。[請求項4] 請求項3の化合物であって、 R1がアリールまたはハロアリールであり、それらの各々がN-低級アルキルピペラジニルカルボニル置換低級アルコキシ、エステル化されたカルボキシもしくはカルボキシで置換されており、 R3が水素または低級アルコキシである化合物。[請求項5] 式[式中、R1は低級アルキル、アリール、シクロ低級アルキルまたは複素環基であり、それらの各々は、ハロゲン;ヒドロキシ;ニトロ;アミノ;アシル;置換アシル;アシル低級アルキルスルフィニル;アシル低級アルキルスルホニル;アシルオキシ;低級アルキルアミノ低級アルキルカルバモイルオキシ;アリール;シアノ;複素環基;アシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルケニル;アミノ、アシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換されていてもよい低級アルキニル;ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、ヒドロキシ、アシルオキシ、アシル低級アルカノイルオキシ、アシル、置換アシルもしくはアシル低級アルコキシイミノで置換されていてもよい低級アルキル;アシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルキルチオ;アリール、置換アリール、ヒドロキシ、アシルオキシ、アミノ、低級アルキルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、アシル置換ピリジル、置換アシル置換ピリジル、ハロゲン、アシル低級アルキルアミノ、N-保護アシル低級アルキルアミノ、N-アシル低級アルキル-N-低級アルキルアミノ、アシル、置換アシル、アシルアミノ、置換アシルアミノ、低級アルキルヒドラジノカルボニルアミノ、ヒドロキシイミノ、アシル低級アルコキシイミノもしくは置換アシル低級アルコキシイミノで置換されていてもよいアルコキシ;およびアシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルケニルオキシからなる群から選ばれた置換基で置換されていてもよく; R2は、ヒドロキシ、アリールもしくはアシルで置換されていてもよい低級アルキル;またはシクロ低級アルキルであり; R3は水素、ハロゲン、低級アルキル、低級アルコキシ、ニトロまたはアミノであり; R4は低級アルキル;アリール;または置換アリールであり; XはCHまたはNであり; YはCHまたはNである]の化合物またはその医薬として許容される塩の製造法であって、1) 式の化合物またはその塩を、式の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩と反応させて、式の化合物またはその塩を生成させること[ここに、R1、R2、R3、R4、XおよびYは各々上に定義した通りである]、または、2) 式の化合物またはその塩を、式の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩と反応させて、式の化合物またはその塩を生成させること[ここに、R1、R2、R3、R4、XおよびYは各々上に定義した通りである]、または、3) 式の化合物またはその塩を脱エステル反応に付して、式の化合物またはその塩を生成させること[ここに、R2、R3、R4、XおよびYは各々上に定義した通りであり、素環基であり、それら各々は、エステル化されたカルボキシ;エステル化されたカルボキシで置換された低級アルケニル;エステル化されたカルボキシ、エステル化されたカルボキシ低級アルカノイルオキシもしくはエステル化されたカルボキシ低級アルコキシイミノで置換された低級アルキル;エステル化されたカルボキシで置換された低級アルキルチオ;エステル化されたカルボキシ置換アリール、エステル化されたカルボキシ置換ピリジル、エステル化されたカルボキシ低級アルキルアミノ、N-保護されたエステル化されたカルボキシ低級アルキルアミノ、N-エステル化カルボキシ低級アルキル-N-低級アルキルアミノ、エステル化されたカルボキシもしくはエステル化されたカルボキシ低級アルコキシイミノで置換されたアルコキシ;もしくは、エステル化されたカルボキシで置換された低級アルケニルオキシ;で置換されたものであり;素環基であり、それら各々は、カルボキシ;カルボキシで置換された低級アルケニル;カルボキシ、カルボキシ低級アルカノイルオキシもしくはカルボキシ低級アルコキシイミノで置換された低級アルキル;カルボキシで置換された低級アルキルチオ;カルボキシ置換アリール、カルボキシ置換ピリジル、カルボキシ低級アルキルアミノ、N-保護されたカルボキシ低級アルキルアミノ、N-カルボキシ低級アルキル-N-低級アルキルアミノ、カルボキシもしくはカルボキシ低級アルコキシイミノで置換されたアルコキシ;もしくは、カルボキシで置換された低級アルケニルオキシ;で置換されたものである]、または、4) 式の化合物またはその塩を脱アシル反応に付して、式の化合物またはその塩を生成させること[ここに、R2、R3 R4、XおよびYは各々上に定義した通りであり、素環基であり、それら各々は、アシルオキシ;アシルオキシもしくはアシル低級アルカノイルオキシで置換された低級アルキル;もしくは、アシルオキシで置換されたアルコキシ;で置換されたものであり;素環基であり、それら各々は、ヒドロキシ;ヒドロキシで置換された低級アルキル;もしくは、ヒドロキシで置換されたアルコキシ;で置換されたものである]、または、5) 式の化合物またはその塩をN-保護基脱離反応に付して、式の化合物またはその塩を生成させること[ここに、R2、R3、R4、XおよびYは各々上に定義した通りであり、素環基であり、それら各々は、保護されたアミノ、N-保護されたアシル低級アルキルアミノ、N-保護されたN-含有複素環カルボニルアミノもしくはN-保護されたN-含有複素環スルホニル置換アリールで置換されたアルコキシ;で置換されたものであり;素環基であり、それら各々は、アミノ、アシル低級アルキルアミノ、N-含有複素環カルボニルアミノもしくはN-含有複素環スルホニル置換アリールで置換されたアルコキシで置換されたものである]、または、6) 式の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩を、アミンまたはその塩と反応させて、式およびYは各々上に定義した通りであり、素環基であり、それら各々は、置換または無置換N-含有複素環カルボニル;カルバモイル;置換または無置換低級アルキルカルバモイル;置換または無置換N-含有複素環カルボニル、カルバモイルもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイルで置換された低級アルケニル;置換または無置換N-含有複素環力ルボニル、カルバモイル、置換または無置換低級アルキルカルバモイル、置換または無置換N-含有複素環カルボニル低級アルカノイルオキシ、カルバモイル低級アルカノイルオキシ、置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルカノイルオキシ、置換または無置換N-含有複素環カルボニル低級アルコキシイミノ、カルバモイル低級アルコキシイミノもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルコキシイミノで置換された低級アルキル;置換または無置換N-含有複素環カルボニル、カルバモイルもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイルで置換された低級アルキルチオ;置換または無置換N-含有複素環カルボニル置換アリール、カルバモイル置換アリール、置換または無置換低級アルキルカルバモイル置換アリール、置換または無置換N-含有複素環カルボニル置換ピリジル、カルバモイル置換ピリジル、置換または無置換低級アルキルカルバモイル置換ピリジル、置換または無置換N-含有複素環カルボニル低級アルキルアミノ、カルバモイル低級アルキルアミノ、置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルキルアミノ、N-保護された(置換または無置換N-含有複素環)カルボニル低級アルキルアミノ、N-保護されたカルバモイル低級アルキルアミノ、N-保護された置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルキルアミノ、N-(置換または無置換N-含有複素環)カルボニル低級アルキル-N-低級アルキルアミノ、N-カルバモイル低級アルキル-N-低級アルキルアミノ、置換または無置換N-低級アルキルカルバモイル-N-低級アルキルアミノ、置換または無置換N-含有複素環カルボニル、カルバモイル、置換または無置換低級アルキルカルバモイル、置換または無置換N-含有複素環カルボニル低級アルコキシイミノ、カルバモイル低級アルコキシイミノもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルコキシイミノで置換されたアルコキシ;もしくは、置換または無置換N-含有複素環カルボニル、カルバモイルもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイルで置換された低級アルケニルオキシ;で置換されたものである]、または、7) 式の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩を、アジド化合物と反応させ、生じた生成物を酸と反応させて、式の化合物またはその塩を生成させること[ここに、R2、R3、R4、XおよびYは各々上に定義した通りであり、素環基であり、それら各々はカルボキシで置換されたものであり;素環基であり、それら各々はアミノで置換されたものである]、または8) 式の化合物またはその塩を還元に付して、式の化合物またはその塩を生成させること[ここに、R2、R3、R4、XおよびYは各々上に定義した通りであり、素環基であり、それら各々は、アシルで置換されていてもよい低級アルケニル;アシルアミノで置換されていてもよい低級アルキニル;もしくはアシルで置換されていてもよい低級アルケニルオキシ;で置換されたものであり;素環基であり、それら各々は、アシルもしくはアシルアミノで置換されていてもよい低級アルキル;もしくはアシルで置換されていてもよい低級アルキルオキシ;で置換されたものである]、または、9) 式の化合物またはその塩を還元剤と反応させて、式の化合物またはその塩を生成させること[ここに、R2、R3、R4、XおよびYは各々上に定義した通りであり、素環基であり、それら各々は、低級アルカノイル;カルボキシ;エステル化されたカルボキシ;もしくは、エステル化されたカルボキシもしくはエステル化されたカルボキシ置換アリールで置換されたアルコキシ;で置換されたものであり;素環基であり、それら各々は、1-ヒドロキシ低級アルキル;もしくは、ヒドロキシもしくはヒドロキシメチル置換アリールで置換されたアルコキシ;で置換されたものである]、または、10) 式の化合物またはその塩をアシル化剤と反応させて、式R4、XおよびYは各々上に定義した通りである]、または、11) 式の化合物またはその塩を酸化反応に付して、式およびYは各々上に定義した通りであり、素環基であり、それら各々は、低級アルカノイル;もしくは、低級アルカノイルもしくはホルミル置換アリールで置換されたアルコキシ;で置換されたものである]、または、12) 式の化合物またはその塩を、モノまたはジ低級アルキルアミン、N-アシル低級アルキル-N-低級アルキルアミン、N-含有複素環化合物またはそれらの塩と、還元剤の存在下で反応させて、式およびYは各々上に定義した通りであり、素環基であり、それら各々は、1-(低級アルキル)アミノ低級アルキル;もしくは、N-アシル低級アルキル-N-低級アルキルアミノ、アシル低級アルキルアミノもしくはN-含有複素環基置換メチルで置換されたアルコキシ;で置換されたものである]、または、13) 式の化合物またはその塩を低級アルカナールと反応させて、式の化合物またはその塩を生成させること[ここに、R2、R3、R4、XおよびYは各々上に定義した通りであり、素環基であり、それら各々は、モノ低級アルキルアミノで置換された低級アルキル;もしくは、アシル低級アルキルもしくはピペラジニルスルホニル置換アリールで置換されていてもよいアミノで置換されたアルコキシ;で置換されたものであり;素環基であり、それら各々は、ジ低級アルキルアミノで置換された低級アルキル;もしくは、低級アルキルアミノ、N-アシル低級アルキル-N-低級アルキルアミノもしくはN-低級アルキルピペラジニルスルホニル置換アリールで置換されたアルコキシ;で置換されたものである]、または、14) 式の化合物またはその塩を接触還元に付して、式の化合物またはその塩を生成させること[ここに、R2、R3、R4、XおよびYは各々上に定義した通りであり、素環基であり、それら各々は、アリールもしくは置換アリールで置換されたメトキシで置換されたものであり;素環基であり、それら各々はヒドロキシで置換されたものである]、または、15) 式の化合物またはその塩を、式 Z1-R5 (VI)の化合物またはその塩と反応させて、式およびYは各々上に定義した通りであり、 R5はアルキルであって、アリール、置換アリール、ヒドロキシ、アシルオキシ、アミノ、低級アルキルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、アシル置換ピリジル、ハロゲン、アシル低級アルキルアミノ、N-保護されたアシル低級アルキルアミノ、N-アシル低級アルキル-N-低級アルキルアミノ、アシル、置換アシル、アシルアミノ、置換アシルアミノもしくは低級アルキルヒドラジノカルボニルアミノで置換されていてもよく; Z1は酸残基であり、素環基であり、それら各々は、アリール、置換アリール、ヒドロキシ、アシルオキシ、アミノ、低級アルキルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、アシル置換ピリジル、ハロゲン、アシル低級アルキルアミノ、N-保護されたアシル低級アルキルアミノ、N-アシル低級アルキル-N-低級アルキルアミノ、アシル、置換アシル、アシルアミノ、置換アシルアミノもしくは低級アルキルヒドラジノカルボニルアミノで置換されていてもよいアルコキシで置換されたものである]、または、16) 式の化合物またはその塩を、式 Z2-R6 (VII)の化合物と反応させて、式の化合物またはその塩を生成させること[ここに、R2、R3、R4、XおよびYは各々上に定義した通りであり、素環基であり、それら各々は、ヒドロキシイミノで置換されたアルコキシで置換されたものであり; R6はアシルで置換された低級アルキルであり; Z2は酸残基であり;素環基であり、それら各々は、アシル低級アルコキシイミノで置換されたアルコキシで置換されたものである]、または、17) 式の化合物またはその塩を、アミンまたはフタルイミドカリウムと反応させて、式の化合物またはその塩を生成させること[ここに、R2、R3、R4、XおよびYは各々上に定義した通りであり、素環基であり、それら各々は、ハロゲンで置換されたアルコキシで置換されたものであり;素環基であり、それら各々は、アミノ、低級アルキル・・・

IPC (17)：

C07C237/42 ,  A61K 31/27 AED ,  A61K 31/275 ABU ,  A61K 31/44 ACS ,  A61K 31/44 AGZ ,  A61K 31/445 ABN ,  A61K 31/495 ACV ,  C07C231/02 ,  C07C231/08 ,  C07C237/44 ,  C07D211/58 ,  C07D211/62 ,  C07D213/56 ,  C07D213/75 ,  C07D213/80 ,  C07D213/82 ,  C07D295/20

FI (17)：

C07C237/42 ,  A61K 31/27 AED ,  A61K 31/275 ABU ,  A61K 31/44 ACS ,  A61K 31/44 AGZ ,  A61K 31/445 ABN ,  A61K 31/495 ACV ,  C07C231/02 ,  C07C231/08 ,  C07C237/44 ,  C07D211/58 ,  C07D211/62 ,  C07D213/56 ,  C07D213/75 ,  C07D213/80 ,  C07D213/82 ,  C07D295/20 A