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J-GLOBAL ID：200903014508062830

プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、基板および半導体装置

Inventor：
森田 春雪

About 森田 春雪

, 
和田 健司

About 和田 健司

, 
稲増 崇

About 稲増 崇


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001305232
Publication number (International publication number)：2003109908
Application date： Oct. 01, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】 処理速度の向上、処理品質の向上、基板の大面積化を可能とするプラズマ処理装置、プラスマ処理方法、基板および半導体装置を提供する。【解決手段】 電極に高周波電源1から高周波電力を給電してプラズマを発生し、基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、電極2が、所定の間隙をあけて位置する複数の部分電極21,22,23,24から構成され、高周波電圧が部分電極の各々に印加される印加点10が、部分電極から構成される電極2の外周端部に位置し、隣り合って位置する部分電極に給電される高周波の位相が異なるように、高周波電力の給電経路に位相差生成手段71,72,73,74を備える。
Claim (excerpt)：
高周波電源と、基板配設部に配設された基板に処理を施す処理室とを備え、前記処理室内において、電極に前記高周波電源から高周波電力を給電してプラズマを発生し、前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記電極が、所定の間隙をあけて位置する複数の部分電極から構成され、前記高周波電力が前記部分電極の各々に印加される印加点が、前記電極の外周端部に位置し、隣り合って位置する前記2つの部分電極に印加される高周波電圧の位相が異なるように、前記高周波電力の給電経路に位相差生成手段を備える、プラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C
F-Term (32)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA18 ,  4K030JA19 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004CA03 ,  5F004CA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE21 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045CA13 ,  5F045EH04 ,  5F045EH07 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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