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J-GLOBAL ID：200903014518843636
シリコン結晶体の接合方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994316099
Publication number (International publication number)：1995254717
Application date： Dec. 06, 1983
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 接着剤を用いずに2つのシリコン結晶体を相互に強固に接合することができるシリコン結晶体の接合方法を提供することを目的とする。【構成】 2つのシリコン結晶体の接合面の一方を鏡面研磨して研磨面にし、この研磨面を撥水性にして、接合面を実質的に異物が介入しない空気中に晒すことにより親水性にして酸化膜を形成した後、接合面間に実質的に異物が介入しない条件下で接合面を直接密着させて接合を行ない、接合されたシリコン結晶体を200°C以上の温度で熱処理するシリコン結晶体の接合方法である。
Claim (excerpt)：
2つのシリコン結晶体の接合面の一方を鏡面研磨して研磨面にする第1の工程と、この研磨面を撥水性にする第2の工程と、前記接合面を実質的に異物が介入しない空気中に晒すことにより親水性にして酸化膜を形成する第3の工程と、前記接合面間に実質的に異物が介入しない条件下で前記接合面を直接密着させて接合する第4の工程と、この接合されたシリコン結晶体を200°C以上の温度で熱処理する第5の工程とを備えたシリコン結晶体の接合方法。
IPC (3)：
H01L 29/84
, B32B 9/00
, H01L 21/02
