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J-GLOBAL ID：200903014519353632

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 堤 聡明
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996343495
Publication number (International publication number)：1998189590
Application date： Dec. 24, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 Cu膜配線が形成される半導体基板上の絶縁膜にクラックや窪みが生じることを防止し、信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】 この発明に係る半導体装置は、半導体基板1と、この半導体基板1上に形成され、開口部4を有する第1の絶縁膜2と、この開口部4の内壁部を覆う導電性膜5と、この開口部4の内部に埋め込こんで形成したCu膜配線61を備えた半導体装置において、このCu膜配線61の上端部が上記第1の絶縁膜2の表面から突出するように形成し、このCu膜配線61の上端部を第2の絶縁膜7で覆うようにしたものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板上に形成され、開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の開口部内部に埋め込まれ、上端部が前記絶縁膜の表面から突出しているCu膜配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。