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J-GLOBAL ID：200903014523683167

半導体集積回路装置の製造方法および製造装置

Inventor： 高橋 理 ,  鈴木 慎一 ,  黒木 啓二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999259239
Publication number (International publication number)：2001085408
Application date： Sep. 13, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置の製造コストを低減することのできる技術を提供する。【解決手段】 処理室DEのウエハステージ17上に置かれた半導体ウエハSWの温度を、赤外線ランプ20、温調液15、加熱ガス18aおよびペルチエ素子19の全て、またはこれらのうちのいずれかを用いて100〜250°C程度に加熱して、半導体ウエハSW上のW膜をエッチングした後、連続して半導体ウエハSWの温度を、温調液15、冷却ガス18bおよびペルチエ素子19の全て、またはこれらのうちいずれかを用いて-30〜80°C程度に冷却して、半導体ウエハSW上の多結晶シリコン膜をエッチングする。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ上に堆積された第1の膜および第2の膜からなる積層膜を加工する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体ウエハを100〜250°C程度に加熱して、前記第1の膜をエッチングした後、連続して同一処理室で前記半導体ウエハを-30〜80°C程度に冷却して、前記第2の膜をエッチングすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 21/302 J ,  H01L 27/10 681 F

F-Term (50)：

5F004BA01 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB27 ,  5F004BC04 ,  5F004BC08 ,  5F004CA01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA04 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB04 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13 ,  5F004DB17 ,  5F004DB18 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083KA05 ,  5F083MA03 ,  5F083MA04 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA06